直流四探針電阻率測試儀通用技術(shù)條件

由四探針探頭、直流恒流電源和測量?jì)x表等組成。用規定的壓力將探頭上四根探針與被測樣品表面形成歐姆接觸，在其二根探針上通以電流。
其它以四探針?lè )榛A的六探針、交直流四探針電阻率、薄層電阻測試儀可參照使用。本標準不包括四探針探頭標準。
四探針測試儀面板上的文字符號和標志清楚無(wú)誤，符合有關(guān)標準規定。位移機構的動(dòng)作應平穩，操作方便，噪聲小。
除下述術(shù)語(yǔ)外，本標準所采用的電工名詞術(shù)語(yǔ)、四探針探頭名詞術(shù)語(yǔ)分別按GB2900.1《電工名詞術(shù)語(yǔ)、基本名詞術(shù)語(yǔ)》和SJ/T10315《四探針探頭通用技術(shù)條件》的標準規定。
GB191 包裝儲運圖示標志；
使用直線(xiàn)形排列與正方形排列的四探針測試儀，電阻率的基本計算公式及公式的使用條件等見(jiàn)附錄A。
修正系數，當探針間距、被測樣品的幾何形狀與尺寸等滿(mǎn)足不了基本公式所要求的理想條件時(shí)，需要在基本公式中附加一些系數進(jìn)行修正，這些系數稱(chēng)為修正系數。
安全要求：電源輸入端與機殼間的絕緣電阻應大于500MΩ。電源進(jìn)線(xiàn)應有保險器。電源輸入端與機殼間應能承受1500V（有效值）交流電壓歷時(shí)1分鐘，無(wú)擊穿與飛弧現象。
四探針測試儀的表面平整光滑，無(wú)劃痕、壓傷、變形、銹蝕現象，涂復層不得脫落。零部件的安裝應牢固無(wú)松動(dòng)，有防松動(dòng)措施，開(kāi)關(guān)、旋鈕的調節應方便，操作應靈活。
具有空調的專(zhuān)用清潔室；室內無(wú)強電磁場(chǎng)干擾，無(wú)強光直接照射，沒(méi)有明顯的振動(dòng)和波動(dòng)。電源要求：電壓：（220±10%）V；頻率：（50±1%）Hz；波形：正弦波。
GB6615 硅片電阻率的直排四探針測試方法；
技術(shù)要求：外觀(guān)結構要求，四探針測試儀的外觀(guān)結構應符合下列原則，布局合理、美觀(guān)大方、結構緊湊、顯示清晰、操作方便、易于維修。
在另外兩探針上測量其電位差，利用通入的電流和測量的電位差等數據，以及相應公式經(jīng)過(guò)運算處理得到被測量的參數。
薄層電阻 R 材料內平行于電流方向的電勢梯度除以電流密度與材料厚度的乘積，當厚度趨近于零時(shí)，其值為薄層電阻。
JJG508 四探針電阻率測試儀檢定規程；
各修正系數的定義、計算公式、使用條件等見(jiàn)附錄A。直流四探針電阻率測試儀，用來(lái)測試材料電阻率、薄層電阻和電阻的探針測試裝置。
GB11073 硅片徑向電阻率變化的測試方法；
探頭外觀(guān)要求應符合SJ/T10315標準的規定。使用環(huán)境要求，大氣壓：（86~106）kPa；溫度：（23±5）℃；相對濕度：不大于65%；
SJ1889 電子測量?jì)x器可靠性試驗方案；
本標準規定了直流四探針電阻率測試儀（以下簡(jiǎn)稱(chēng)四探針測試儀）的主要技術(shù)性能、測試方法、檢測規則、包裝、運輸、貯存要求等。

SJ/T10315 四探針探頭通用技術(shù)條件；
形式上為薄層電阻率除以材料厚度，單位為歐姆/方塊（Ω/□）。使用直線(xiàn)形排列和正方形排列的四探針測試儀，薄層電阻R的基本計算公式及公式的使用條件等見(jiàn)附錄A。
本標準適用于電子和冶金等行業(yè)生產(chǎn)與科研中測量半導體、金屬薄層等的電阻率、薄層電阻和電阻的直流四探針測試儀。
SJT 10314-1992 直流四探針電阻率測試儀通用技術(shù)條件
電阻率  材料內平行于電流方向的電勢梯度與電流密度之比，又稱(chēng)體電阻率，單位為歐姆·厘米（Ω·cm）。
GB2900.1 電工名詞術(shù)語(yǔ)，基本名詞術(shù)語(yǔ)；