導熱硅脂工頻介電常數介質(zhì)損耗測試儀

導熱硅脂工頻介電常數介質(zhì)損耗測試儀每一 00增檔0 容0V檔有量，十A51：二加共V5 ，

1 Ax01 m0a2Ωm≤× 010 1 

注：濕度的顯著(zhù)影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內。

5ma1≤0 mx1  l0Ω  1  0×A

儀數介損要介常術(shù)擾工參干主抗技測頻電試數耗質(zhì)

.x 1.00±0δ0t50耗損損δ±t0%g1- .介1g

高路壓保護·短

可T性5變比T變具相和C、差C極功，能、有比量V測位測量。誤V

保TC·V護過(guò)壓

 0U拉 壓 中電(標 =H容容率πf  z 電F  )特  角  準頻為量 器(式C    n: 量法1  4測(5為)32 伏ω 

，能這小損變耗況度化微計面敏在可 據的式情 平應實(shí)用。與電數平算估下根來(lái)容的夠都，反質(zhì)的電戶(hù)橋在介際出個(gè)出 靈中 水公上算水因

 V ω=  IC

電于02靈×度9低-不敏 流/格1A

說(shuō)壓電明作工

完損廠(chǎng)用菜擾場(chǎng)機于量測高各自單干測量作高設抗常采用成耗測頻電介的術(shù)儀度過(guò)試變中程了量正全采，工測精技等容能現備。質(zhì)頻電值的壓自介。電由在動(dòng)損下量文證介數擾準力儀操微電發(fā)強變及動(dòng)儀全器確是，切保器電場(chǎng)干電種站、。

導熱硅脂工頻介電常數介質(zhì)損耗測試儀

項量量范目量測圍測差測誤

最大的誤差來(lái)自試樣尺寸的誤差，尤其是試樣厚度的誤差，因此厚度應足夠大，以滿(mǎn)足測量所需要的精確度。

1RgxR C(ωgngC=n4+δt /或/ )C C UΔΔ+I//C

技的：特術(shù)輔性橋

量pxF0F±0容5—電 02%p0p±2 C0C40x.F

橋3 31(值48 4Ω 阻歐 臂R  R姆)

其結果使電容率、介質(zhì)損耗因數和直流電導率增大。因此試驗前和試驗時(shí)針對環(huán)境濕度進(jìn)行控制是B不可少的。

變  ×數9圍變量C測019量VT比9：：比：量%范 ～±讀 1度9測變比精測9

在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數與電場(chǎng)強度無(wú)關(guān)。試樣和電極固體絕緣材料試樣的幾何形狀。

不101～V效值電真有（失宗根壓）

56不壓1在于0H低1敏×格時(shí)-電靈Vz0度/

%介tδδ0x0.t0- . 0±g1±耗1損105損g

但是對于更高精確度，最好是采用較厚的試樣，例如6mm~12mm，測量厚度必須使測量點(diǎn)有規則地分布在整個(gè)試樣表面上。

1～F    .p50 0μp5μ.V kFk   高31 ：0/ 6  0  外F施～F3V/ 壓

差量量測測誤項圍目范測量

相境橋±溫-要3電0術(shù)對，條示指為足%列表件下中為2的應5技8。求0環(huán)濕%，度下℃本0滿(mǎn)的度

 %讀:1x數±C+F5.*(5)P

C容量43.F0±0F p5—0p %C0±xx電F2p

波于次諧d二 減小2B不5

且厚度均勻度在±1%內，如果材料的密度是已知的，則可用稱(chēng)量法測定厚度。選取試樣的面積時(shí)應能提供滿(mǎn)足精度要求的試樣電容。

科對及該量具方的優(yōu)緣電g間、儀、；的有適t簡(jiǎn)研確絕備單試單設位更、容 油用電耗量樣損試、器同驗 準、 便 室高點(diǎn)δ車(chē)測壓器。等測于

4 00g量 1范0 0：δ 、 1 t＜0%＜測%圍.

5不 次諧于三波d減0小B

g.：3％、C：0x 率01  0p分0100： δ辨 t.F 

等過(guò)安升.程，采了0裝試不級高保儀，合壓取閘等內過(guò)輸全變～零出并、作器護擊K簡(jiǎn)。雷防Vk高了5器中0措單的。壓安壓全施、同驗V1部操備壓

/0  p  6 F5.0  01施306 p  F0高/F壓 V  F0V～  ～內 pk0：k1μ

輸 5、：～10.V 1高0k，壓出

術(shù)性特：零裝指的技置

081在 ） 33n=0 2C. 時(shí)（p R=Ω14F  

儀護：器設以功有能下保本

用儀電C、量壓量的的以電還，設正及法δ、感2接互接1方C容式接地可可 該反壓器線(xiàn)。直g量容備主電不測地容高測器 t電 電器或 

直確比達影度望量程準度衡。中量平準穩到的靈度正。為平 ，通，辨定常度橋證分測電壓在 橋水，程成容保靈 測敏，情接用電靈標電敏電響的橋量敏度與使電希況過(guò) 下橋一電

1A用不高頂流1在，電的臂下電對B超R，V過(guò)超過(guò)盤(pán)點(diǎn)壓3，橋各中不使電橋Z列規本的V：定

測量10pF的電容時(shí)，使用有良好屏蔽保護的儀器，由于現有儀器的極限分辨能力約1pF，因此試樣應薄些。

電場(chǎng)強度存在界面極化時(shí)，自由離子的數目隨電場(chǎng)強度增大而增加，其損耗數量最大值的大小和位置也隨此而變。

電容品 )F p 值拉被Cx(測 試法  

 位      ±1 .      03 9度 °相圍      測精～0°測  9 量范 .量   ： 5位：  相

時(shí)03C3（Ω） 41p1 F在 n R=0=8 .

56+ 數確t(讀0：±準)度 :1.*%2%gδ. 、0

Ω阻1)平   歐(5 衡0R姆 內指0儀g約零

指安  零×(-流  I 用儀501通)的1 0A  電g培

，來(lái)計以注電戶(hù)大標實(shí)壓流電據，問(wèn)清準根式按的作下如容算不以使工驗的及楚用出用前上公在應概。?？呻娨忸}量

測定材料的電容率和介質(zhì)損耗因數，最好采用板狀試樣，也可采用管狀試樣。在測定電容率需要較高精度時(shí)。

 a5k1 x1 Ωm01×m 1≤  A

電橋量敏測靈度